ISSN 0021-3454 (печатная версия)
ISSN 2500-0381 (онлайн версия)
Меню

11
Содержание
том 61 / НОЯБРЬ, 2018
СТАТЬЯ

DOI 10.17586/0021-3454-2018-61-10-915-921

УДК 546.28.004

ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАВЛЕНОЙ В РАСТВОРЕ ГИДРОКСИДА КАЛИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ

Пауткин В. Е.
АО „НИИФИ“; главный специалист


Абдуллин Ф. А.
АО „НИИФИ“; инженер-конструктор


Вергазов И. Р.
АО „НИИФИ“; главный специалист


Мишанин А. Е.
АО „НИИФИ“; ведущий инженер-технолог


Аннотация. Проведена экспериментальная оценка влияния глубины анизотропного травления кремния на шероховатость травленой поверхности в растворе гидроксида калия. Проводилось травление пластин кремния на различную глубину (30 и 180 мкм) с последующим измерением параметров шероховатости на оптическом профилографе-профилометре PF-60. Показано, что при этом способе травления меняются такие параметры шероховатости поверхности, как Ra, Rz, Rmax. Для улучшения качества поверхности (снижения вышеуказанных параметров) применялось химическое полирование в изотропном травителе. Проведенные исследования имеют практическое значение для изготовления кремниевых структур микромеханических систем.  
Ключевые слова: микромеханические датчики, анизотропное травление, шероховатость поверхности, химическая полировка, гидромеханические условия

Список литературы:
  1. Petersen K. E. Silicon as a Mechanical Material // Proc. of the IEEE. 1982. Vol. 70, N 5. P. 420—457.
  2. Аванесов Г. А., Бессонов Р. В., Форш А. А., Куделин М. И. Анализ современного состояния и перспектив развития приборов звездной ориентации семейства БОКЗ // Изв. вузов. Приборостроение. 2015. Т. 58, № 1. С. 3—13.
  3. Афиногенов И. А., Конькин А. В., Эннс П. Б., Капустин А. Н. Электростатические реле на базе МЭМСтехнологии // Изв. вузов. Приборостроение. 2011. Т. 54, № 4. С. 18—23.
  4. Соколов Л. В., Парфенов Н. М. Технологические особенности формирования трехмерных МЭМС // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 11. С. 19—26.
  5. Пауткин В. Е., Аверин И. А. Особенности формирования микроэлектромеханических элементов первичных преобразователей информации // Изв. вузов. Поволжский регион. Технические науки. 2014. № 2(30). С. 24—32.
  6. Han Lu, Hua Zhang, Mingliang Jin, Tao He, Guofu Zhou and Lingling Shui. Two-Layer  Microstructures Fabricated by One-Step Anisotropic Wet Etching of Si in KOH Solution // Micromachines. 2016. Vol. 7. Р. 19. DOI:10.3390/mi7020019
  7. Пат. 2207658 РФ, МПК H01L 21/02, H01L 29. Способ изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа / Е. А. Мокров, Ю. А. Зеленцов, С. А. Козин, И. Г. Акимов, А. В. Федулов, Т. Г. Чистякова, Ю. С. Ануфриев. Заяв. №2001119005/28 от 09.07.2001. Опубл. 27.06.2003.
  8. Tripathi C. C. еt al. Development of low cost set up for anodic bonding and its characterization // Indian J. of Pure & Applied Physics. 2008. Vol. 46, October. P. 738—743.
  9. Cianci E. еt al. Silicon grisms fabricated by anisotropic wet etching and direct silicon bonding for high-resolution IR spectroscopy // Micromachining and Microfabrication Process Technology VII. Proc. SPIE. 2001. Vol. 4557. P. 201—209.
  10. Пат. 2526789 РФ, МПК G01P15/08, G01P15/125. Чувствительный элемент интегрального акселерометра / В. Е. Пауткин, С. В. Прилуцкая. Заяв. 2013110978/28 от 12.03.2013. Опубл. 27.08.2014.
  11. Wei Xu, Jie Yang, Guofen Xie, Bin Wang, Mingshan Qu, Xuguang Wang, Xianxue Liu, and Bin Tang. Design and Fabrication of a Slanted-Beam MEMS Accelerometer // Micromachines. 2017. N 8. Р. 77. DOI:10.3390/mi8030077
  12. Zhu Li, Wen Jie Wu, Pan Pan Zheng, Jin Quan Liu, Ji Fan, and Liang Cheng Tu. Novel Capacitive Sensing System Design of a Microelectromechanical Systems Accelerometer for Gravity Measurement Applications // Micromachines. 2016. N 7. Р. 167. DOI: 10.3390/mi7090167
  13. Федоренко В. А., Шошин А. И. Справочник по машиностроительному черчению / Под ред. Г. Н. Поповой. Л.: Машиностроение,1981. 416 с.
  14. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. 528 с.
  15. Monteiro T. S., Kastytis P., Goncalves L. M., Minas G. and Cardoso S. Dynamic Wet Etching of Silicon through Isopropanol Alcohol Evaporation // Micromachines. 2015. N 6. Р. 1534—1545. DOI:10.3390/mi6101437
  16. Campbell S. A., Cooper K., Dixon L., Earwaker R., Port S. N., and Schiffrin D. J. Inhibition of pyramid formation in the etching of Si p(100) in aqueous potassium hydroxide-isopropanol // J. of Micromechanics and Microengineering. 1995. Vol. 5, N 3. DOI: 10.1088/0960-1317/5/3/002
  17. Bressers P. M. M. C., Kelly J. J., Gardeniers J. C. E., Elwenspoek M. Surface Morphology of p-Type (100) Silicon Etched in Aqueous Alkaline Solution // J. of the Electrochemical Society. 1996. Vol. 143, N 5. Р. 1744—1750.