<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">pribor</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений. Приборостроение</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Journal of Instrument Engineering</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">0021-3454</issn><issn pub-type="epub">2500-0381</issn><publisher><publisher-name>Национальный исследовательский университет ИТМО</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.17586/0021-3454-2025-68-6-511-519</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">pribor-382</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>МЕТОДЫ И ПРИБОРЫ ДЛЯ АНАЛИЗА И КОНТРОЛЯ МАТЕРИАЛОВ, ИЗДЕЛИЙ, ВЕЩЕСТВ И ПРИРОДНОЙ СРЕДЫ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>METHODS AND DEVICES FOR MONITORING AND DIAGNOSTICS OF MATERIALS, PRODUCTS, SUBSTANCES AND THE NATURAL ENVIRONMENT</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Применение жертвенных слоев при изготовлении многослойной Al–Ni-фольги с эффектом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Application of Sacrificial Layers in the Manufacture of Multilayer Al–Ni Foil with the Effect of Self-expanding High-temperature Synthesis</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Шашин</surname><given-names>Д. Е.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Shashin</surname><given-names>D. E.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Дмитрий Евгеньевич Шашин — канд. техн. наук, доцент; кафедра конструирования и производства радиоап- паратуры, доцент,</p><p>Йошкар-Ола.</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Dmitriy E. Shashin — PhD, Associate Professor;  Department of Design and Manufacture of Radio Equipment,</p><p>Yoshkar-Ola.</p></bio><email xlink:type="simple">ShashinDE@volgatech.net</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Сушенцов</surname><given-names>Н. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Sushentsov</surname><given-names>N. I.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Николай Иванович Сушенцов — канд. техн. наук, доцент; кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры, зав. кафедрой,</p><p>Йошкар-Ола.</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Nikolay I. Sushentsov — PhD, Associate Professor; Department of Design and Manufacture of Radio Equipment, Head of the Department,</p><p>Yoshkar-Ola.</p></bio><email xlink:type="simple">SushentsovNI@volgatech.net</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Дьячков</surname><given-names>А. Д.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Dyachkov</surname><given-names>A. D.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Алексей Дмитриевич Дьячков — аспирант; кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры,</p><p>Йошкар-Ола.</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Aleksei D. Dyachkov — Post-Graduate Student; Department of Design and Manufacture of Radio Equipment,</p><p>Yoshkar-Ola.</p></bio><email xlink:type="simple">addyachkov@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Романов</surname><given-names>А. Л.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Romanov</surname><given-names>A. L.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Алексей Леонидович Романов — магистрант; кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры,</p><p>Йошкар-Ола.</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Alexey L. Romanov - Master’s Student; Department of Design and Manufacture Radio Equipment,</p><p>Yoshkar-Ola.</p></bio><email xlink:type="simple">RomanovAl@volgatech.net</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Волков</surname><given-names>К. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Volkov</surname><given-names>K. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Кирилл Александрович Волков — аспирант; кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры,</p><p>Йошкар-Ола.</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Kirill A. Volkov — Post-Graduate Student; Department of Design and Manufacture of Radio Equipment,</p><p>Yoshkar-Ola.</p></bio><email xlink:type="simple">VolkovKA@volgatech.net</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Габдуллин</surname><given-names>П. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Gabdullin</surname><given-names>P. G.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Павел Гарифович Габдуллин — канд. физ.-мат. наук, доцент; Высшая инженерно-физическая школа, Институт электроники и телекоммуникаций, доцент,</p><p>Санкт-Петербург.</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Pavel G. Gabdullin - PhD, Associate Professor; Higher School of Engineering Physics, Institute of Electronics and Telecommunications,</p><p>St. Petersburg.</p></bio><email xlink:type="simple">gabdullin_pg@spbstu.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Квашенкина</surname><given-names>О. Е.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kvashenkina</surname><given-names>O. E.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Ольга Евгеньевна Квашенкина — канд. физ.-мат. наук, доцент; СНДГруп; генеральный директор,</p><p>Санкт-Петербург.</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Olga E. Kvashenkina - PhD, Associate Professor; General Manager,</p><p>St. Petersburg.</p></bio><email xlink:type="simple">info@sndgroup.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-3"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Поволжский государственный технологический университет</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Volga State University of Technology</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-3"><aff xml:lang="ru"><institution>СНДГруп</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>SNDGroup LLC</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2025</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>17</day><month>07</month><year>2025</year></pub-date><volume>68</volume><issue>6</issue><fpage>511</fpage><lpage>519</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Национальный исследовательский университет ИТМО, 2025</copyright-statement><copyright-year>2025</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет ИТМО</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Национальный исследовательский университет ИТМО</copyright-holder><license xlink:href="https://pribor.ifmo.ru/jour/about/submissions#copyrightNotice" xlink:type="simple"><license-p>https://pribor.ifmo.ru/jour/about/submissions#copyrightNotice</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://pribor.ifmo.ru/jour/article/view/382">https://pribor.ifmo.ru/jour/article/view/382</self-uri><abstract><p>Рассматриваются особенности применения жертвенных слоев при изготовлении многослойной Al–Ni-фольги, характеризующейся эффектом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Для того чтобы во время производства фольги не было отслоений, между подложкой и фольгой должна быть хорошая адгезия. С другой стороны, для изготовления конечного продукта фольгу необходимо с поверхности подложки отслоить, что подразумевает низкую степень адгезии. Разрешить это технологическое противоречие возможно, применяя жертвенные слои, то есть пленки материала, который наносится на подложку перед формированием фольги, а затем растворяется или стравливается, разрушая тем самым физическую связь фольги и подложки. По этой причине особенно актуальным становится исследование применения различных материалов в качестве жертвенных слоев при изготовлении многослойной фольги с эффектом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Предложен вариант компоновки магнетронной распылительной системы, позволяющий использовать шесть магнетронов в едином технологическом цикле формирования многослойной структуры Al–Ni. С помощью электронной микроскопии определена толщина полученной фольги. Показано, что применение в качестве жертвенного слоя пленки поливинилового спирта толщиной 30 мкм позволяет отслаивать многослойную Al–Ni-фольгу без механического повреждения и утраты способности к реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The features of the use of sacrificial layers in the manufacture of multilayer Al–Ni foil, characterized by the effect of self-expanding high-temperature synthesis, are considered. In order to avoid peeling during the foil production, there must be good adhesion between the substrate and the foil. On the other hand, to produce the final product, the foil must be peeled off the surface of the substrate, which implies a low degree of adhesion. It is possible to resolve this technological contradiction by using sacrificial layers, that is, films of material that are applied to the substrate before forming the foil, and then dissolved or etched off, thereby destroying the physical bond between the foil and the substrate. For this reason, it is particularly relevant to study the use of various materials as sacrificial layers in the manufacture of multilayer foils with the effect of self-expanding high-temperature synthesis. A variant of the layout of a magnetron sputtering system is proposed, which makes it possible to use six magnetrons in a single technological cycle for the formation of a multilayer Al–Ni structure. The thickness of the obtained foil is determined using electron microscopy. It is shown that the use of a polyvinyl alcohol film with a thickness of 30 microns as a sacrificial layer makes it possible to peel off multilayer Al–Ni foil without mechanical damage and loss of the ability to react with self-expanding high-temperature synthesis.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>магнетронное распыление</kwd><kwd>самораспространяющийся высокотемпературный синтез</kwd><kwd>жертвенные слои</kwd><kwd>реактивная фольга</kwd><kwd>рентгеноструктурный анализ</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>magnetron sputtering</kwd><kwd>self-propagating high-temperature synthesis</kwd><kwd>sacrificial layers</kwd><kwd>reactive foil</kwd><kwd>X-ray diffraction analysis</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Рогачев А. С. Реакционные многослойные нанопленки: время научно-технологической зрелости // Успехи химии. 2024. Т. 93, № 1. С. RCR5106. DOI: 10.59761/RCR5106.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Rogachev A.S. Russian Chemical Reviews, 2024, no. 1(93), pp. RCR5106, DOI: 10.59761/RCR5106. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Рогачев А. С. Волны экзотермических реакций в многослойных нанопленках // Успехи химии. 2008. Т. 77, № 1. С. 22–38. https://doi.org/10.1070/RC2008v077n01ABEH003748.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Rogachev A.S. Russian Chemical Reviews, 2008, no. 1(77), pp. 21–37, DOI: 10.1070/RC2008v077n01ABEH003748. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Baras F., Turlo V., Politano O. et al. SHS in Ni/Al Nanofoils: A Review of Experiments and Molecular Dynamics Simulations // Adv. Eng. Mater. 2018. Vol. 20, N 8. DOI: 10.1002/adem.201800091.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Baras F., Turlo V., Politano O. et al. Adv. Eng. Mater., 2018, no. 8(20), DOI: 10.1002/adem.201800091.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Adams D. P. Reactive multilayers fabricated by vapor deposition: A critical review // Thin Solid Films. 2015. Vol. 576, N 2. P. 98–128. DOI: 10.1016/j.tsf.2014.09.042.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Adams D.P. Thin Solid Films, 2015, no. 2(576), pp. 98–128, DOI: 10.1016/j.tsf.2014.09.042.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Turlo V., Politano O., Baras F. Modeling self-sustaining waves of exothermic dissolution in nanometric Ni-Al multilayers // Acta Materialia. 2016. Vol. 120. P. 189–204. DOI: 10.1063/1.4745201.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Turlo V., Politano O., Baras F. Acta Materialia, 2016, vol. 120, рр. 189–204, DOI: 10.1063/1.4745201.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Weihs T. P. Fabrication and characterization of reactive multilayer films and foils // Met. Films for Elect., Opt. and Magn. Apps.: Struc., Proc. and Props. 2014. P. 160–243. DOI: 10.1533/9780857096296.1.160.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Weihs T.P. Met. Films for Elect., Opt. and Magn. Apps.: Struc., Proc. and Props., 2014, рр. 160–243, DOI: 10.1533/9780857096296.1.160.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Xanthopoulou G. Some Advanced Applications of SHS: An Overview // Intern. J Self-Propag. High-Temp. Synth. 2011. Vol. 20, N 4. P. 269–272. DOI: 10.3103/S1061386211040133.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Xanthopoulou G. Int. J. Self-Propag. High-Temp. Synth., 2011, no. 4(20), pp. 269–272, DOI: 10.3103/S1061386211040133.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kovalev D. Yu., Ponomarev V. I. Time-Resolved X-Ray Diffraction in SHS Research and Related Areas: An Overview // Intern. J. Self-Propag. High-Temp. Synth. 2019. Vol. 28, N 2. P. 114–123. DOI: 10.3103/S1061386219020079.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kovalev D.Yu., Ponomarev V.I. Int. J. Self-Propag. High-Temp. Synth., 2019, no. 2(28), pp. 114–123, DOI: 10.3103/S1061386219020079.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Shashin D. E., Sushentsov N. I. Development of Manufacturing Technology of Photo-Dielectric Sensitive Element of Ultraviolet Range on the Basis of Thin Films of Zinc Oxide // Вестн. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2019. Т. 129, № 6. С. 99–109. DOI: 10.18698/0236-3933-2019-6-99-109.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shashin D.E., Sushentsov N.I. Herald of the Bauman Moscow State Tech. Univ. Series Instr. Engin., 2019, no. 6(129), pp. 99–109, DOI: 10.18698/0236-3933-2019-6-99-109. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Шашин Д. Е., Степанов С. А., Сушенцов Н. И. Формирование и исследование тонкопленочных структур на основе оксида меди и оксида цинка, получаемых методом реактивного магнетронного распыления, для применения в солнечной энергетике // Вестн. Поволжского гос. техн. ун-та. Сер.: Радиотех. и инфоком. сист. 2017. Т. 35, № 3. С. 69–77. DOI: 10.15350/2306-2819.2017.3.69.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shashin D.E., Stepanov S.A., Sushentsov N.I. Vestnik of Volga State University of Technology. Series: Radio Engineering and Infocommunication Systems, 2017, no. 3(35), pp. 69–77, DOI: 10.15350/2306-2819.2017.3.69. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Shashin D. E., Sushentsov N. I. Obtaining thin metal films and their compounds using magnetron sputtering and arc evaporation in a single technological cycle // J. Phys.: Conf. Ser. 2021. Vol. 2059, N 1. DOI: 10.1088/1742-6596/2059/1/012022.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shashin D.E., Sushentsov N.I. J. Phys.: Conf. Ser., 2021, no. 1(2059), DOI: 10.1088/1742-6596/2059/1/012022.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Шашин Д. Е., Сушенцов Н. И., Дьячков А. Д. и др. Применение магнетронного распыления для формирования многослойных структур AlNi // Вакуумная техника и технология–2023. СПб: Изд-во СПбГЭТУ „ЛЭТИ“. 2023. С. 180–184. EDN: AZOEOI.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shashin D.E., Sushentsov N.I., Dyachkov A.D. et al. Vacuum Engineering and Technology, 2023, рр. 180–184. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Хина Б. Б., Бабюк В. Е., Габдуллин П. Г. и др. Новый метод расчета адиабатической температуры СВС в системе Ni-a // XII Междунар. Курнаковское сов. по физ.-хим. анал. СПб: Политех-Пресс, 2022. С. 78–80. EDN: RUVNBW.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Khina B.B., Babyuk V.E., Gabdullin P.G. et al. XII Mezhdunarodnoye kurnakovskoye soveshchaniye po fiziko-khimicheskomu analizu (XII International Kurnakov Conference on Physicochemical Analysis), St. Petersburg, 2022, рр. 78–80. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kvashenkina O. E., Udovenko S. A., Osipov V. S. et al. Study of long-term post-SHS phase kinetics in Ni/Al reactive multilayer nanofoils // J. Phys.: Conf. Ser. 2020. Vol. 1695. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012181.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kvashenkina O.E., Udovenko S.A., Osipov V.S. et al. J. Phys.: Conf. Ser., 2020, vol. 1695, DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012181.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kvashenkina O. E., Gabdullin P. G., Arkhipov A. V. SmartFoil: a Novel Assembly Technology for Electronic Circuit Boards in Multifunctional Units // 2018 IEEE Intern. Conf. on Elect. Engineering and Photonics. IEEE. 2018. Р. 202–206. DOI: 10.1109/EExPolytech.2018.8564437.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kvashenkina O.E., Gabdullin P.G., Arkhipov A.V. 2018 IEEE Intern. Conf. on Elect. Engineering and Photonics, 2018, рр. 202–206, DOI: 10.1109/EExPolytech.2018.8564437.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Белянин А. Ф., Борисов В. В., Сушенцов Н. И. и др. Влияние термической обработки на строение и характеристики автоэмиссионных катодов на слоистых структурах нитрида титана и углеродных наностенок // Нанотехнологии: разработка, применение — XXI век. 2017. Т. 9, № 1. С. 4–11. EDN: ZCJBAH.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Belyanin A.F., Borisov V.V., Sushentsov N.I., Stepanov S.A., Shashin D.E. Nanotechnology: Development and Applications — XXI Century, 2017, no. 1(9), pp. 4–11, EDN: ZCJBAH. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Квашенкина О. Е., Эйдельман Е. Д., Осипов В. С. и др. Оценка максимального поперечного размера многослойных биметаллических пленок для протекания в них самораспространяющегося высокотемпературного синтеза на примере структуры Ni/Al // ЖТФ. 2020. Т. 90, № 7. С. 1189–1194.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kvashenkina O.E., Eidelman E.D., Osipov V.S., Gabdullin P.G., Khina B.B. Technical Physics, 2020, no. 7(65), pp. 1144–1149.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kvashenkina O. E., Gabdullin P. G., Osipov V. S. Using the novel capable of SHS-reaction multilayer nanostructured material for soldering of lead-zirconate-titanate piezoceramic elements // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. Vol. 1236. DOI: 10.1088/1742-6596/1236/1/012023.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kvashenkina O.E., Gabdullin P.G., Osipov V.S. J. Phys.: Conf. Ser., 2019, vol. 1236, DOI: 10.1088/1742-6596/1236/1/012023.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Шашин Д. Е., Дьячков А. Д. Формирование фотокаталитических пленок TiO2 методом реактивного магнетронного распыления с применением квазизамкнутого пространства // Вестн. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2024. T. 148, № 3. C. 75–90.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shashin D.E., Dyachkov A.D. Herald of the Bauman Moscow State Technical University. Series Instrument Engineering, 2024, no. 3 (148), pp. 75–90. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Шашин Д. Е. Разработка математической модели формирования тонких плёнок оксида цинка с заданными значениями комплексной диэлектрической проницаемости // Вестн. Поволжского гос. техн. ун-та. Сер.: Радиотех. и инфоком. сист. 2018. Т. 40, № 4. С. 74–81. DOI: 10.15350/2306-2819.2018.4.74.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shashin D.E. Vestnik of Volga State University of Technology. Series: Radio Engineering and Infocommunication Systems, 2018, no. 4(40), pp. 74–81, DOI: 10.15350/2306-2819.2018.4.74. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
