DOI 10.17586/0021-3454-2015-58-5-372-379
УДК 621.38
СТАЦИОНАРНЫЕ РЕЖИМЫ УСИЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Университет ИТМО; доцент, кафедра электроники
Аннотация. Рассматривается решение краевой задачи, корректно отражающей стационарные режимы усиления р—п—р- и п—р—п-биполярных транзисторов в широких диапазонах изменения плотности коллекторного тока. Получены выраже ния коэффициентов усиления по току, а также коэффициентов инжекции, пере носа и передачи неосновных носителей заряда при высоких уровнях инжекции в базовых областях биполярного транзистора. Рассмотрены основные физиче ские механизмы, определяющие как рост, так и уменьшение коэффициента усиления при увеличении тока коллектора от минимально возможных значений до максимально допустимых. Приведен сравнительный анализ теоретических и экспериментальных результатов.
Ключевые слова: биполярные транзисторы, ток коллектора, напряжение коллектор—эмиттер, коэффициент усиления по току, коэффициент инжекции, время жизни носителей в базе, эмиттер, база, комбинированные полупроводниковые приборы
