Аннотация. Предложена сравнительно простая аналитическая модель зависимостей коэффициента усиления по току от тока коллектора транзисторных модулей, изготовленных на основе приборов с одинаковыми (схема Дарлингтона) либо различными (комплементарная пара) типами проводимости. Определены условия работы транзисторов, составляющих эти модули. Показана возможность определения обобщенного электрофизического параметра эмиттерного перехода и времени жизни неосновных носителей заряда в базовых областях входных транзисторов модулей. Проведена сравнительная оценка представленных теоретических положений с результатами эксперимента. Модель приведена в виде, удобном для определения статических характеристик и других транзисторных модулей, например, составных транзисторов с дополнительной симметрией.

Ключевые слова: транзисторные модули, схема Дарлингтона, комплементарная пара, коэффициент усиления по току, время жизни носителей в базе, коэффициент инжекции

Список литературы:

1. Куркин Ю. Л., Соколов А. А. Расчет схемы составного транзистора // Электричество. 1958. № 8. С. 66—71.
2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ.; под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1984. 456 с.
3. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / Пер. с англ.; под ред. И. В. Грехова. Л.: Энергоатомиздат, 1986. 248 с.
4. Григорьев Б. И. Стационарные режимы усиления биполярных транзисторов // Изв. вузов. Приборостроение. 2015. Т. 58, № 5. С. 372—379.
5. Шокли В., Рид В. Статистика рекомбинации дырок и электронов. Полупроводниковые приборы. М.: Изд-во иностр. лит., 1953.
6. Григорьев Б. И., Рудский В. А., Тогатов В. В. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в высокоомных слоях транзисторных структур // Радиотехника и электроника. 1981. Т. 26, № 7. С. 1514—1521.
7. Опадчий Ю. Ф., Глудкин О. П., Гуров А. И. Аналоговая и цифровая электроника. М.: Горячая линия — Телеком, 2002. 768 с.