ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ВЫРАЩИВАЕМЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Специализированный учебно-научный центр Новосибирского государственного университета, кафедра физики;
Рыхлицкий С. В.
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, лаборатория эллипсометрии;
Спесивцев Е. В.
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, лаборатория эллипсометрии;
Михайлов Н. Н.
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, лаборатория эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6;
Читать статью полностью
Аннотация. Приведены результаты по исследованию и разработке аппаратурных средств и методик эллипсометрического контроля in situ параметров гетероструктур, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии, на основе тройного соединения CdxHg1-xTe. Представлены экспериментальные результаты и модельные расчеты, которые демонстрируют возможность контролируемо выра- щивать наноструктуры, сформированные из однородных по составу слоев, а также с заранее заданным распределением состава по толщине растущего слоя.
Ключевые слова:
эллипсометрия, контроль in situ, молекулярно-лучевая эпитаксия, наноструктуры, кадмий—ртуть—теллур.
