ЛАЗЕРНОЕ ТЕКСТУРИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; аспирант
Храмова О. Д.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; старший научный сотрудник
Рочева В. В.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; младший научный сотрудник
Зуев Д. А.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; аспирант
Новодворский О. А.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; старший научный сотрудник, заведующий лабораторией;
Лотин А. А.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН — филиал Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук», Шатура, Московская область, 140700, Российская Федерация; заместитель руководителя
Паршина Л. С.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; младший научный сотрудник
Поройков А. Ю.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова; ведущий электроник
Тимофеев М. А.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова; ведущий научный сотрудник
Унтила Г. Г.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова; старший научный сотрудник
Читать статью полностью
Аннотация. Исследован процесс возникновения лазерно-индуцированной столбчатой струк- туры на поверхности c-Si и mc-Si под действием наносекундных импульсов Nd:YAG-лазера (532 нм) в атмосфере диоксида углерода и в вакууме. Получены образцы текстурированных пластин mc-Si размером 20×20 мм c типичной столб- чатой структурой (аспектное отношение ≥ 3) и полным отражением менее 3 %.
Ключевые слова:
мультикристаллический кремний, лазерное текстурирование, солнечные элементы.
