Аннотация. Обсуждается проблема создания отечественной высоконадежной элементной базы микросистемной техники, в которой широко применяются тонкие пленки при производстве микроэлектромеханических систем. Рассматривается метод HiPIMS, используемый для получения тонких пленок в вакуумных камерах при газовом разряде. Представлены разработанные стенд для анализа газового разряда и зонд, обеспечивающий получение данных для построения вольт-амперных характеристик этого разряда. В среде MatLab разработано программное обеспечение, позволяющее корректно обрабатывать полученные вольт-амперные характеристики. Установлены параметры, влияющие на режим магнетронного напыления (напряжение, частота и скважность импульса), которые позволяют управлять процессом напыления тонких пленок.

Ключевые слова: напыление тонких пленок, магнетронное распыление, метод HiPIMS, вольт-амперная характеристика, концентрация носителей заряда, напряжение разряда, скважность, частота импульсов

Список литературы:

1. Антоненко С. В. Технология тонких пленок. М.: МИФИ, 2008. 104 с.
2. Берлин Е., Двинин С., Сейдман Л. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок. М.: Техносфера, 2007.
3. Ануфриев Л. П. Технология интегральной электроники. Минск: Интегралполиграф, 2011. 379 c.
4. Шупенев А. Е. Анализ неразрушающих методов измерения и контроля толщины тонких пленок. // Изв. вузов. Машиностроение. 2019. № 4 (709). С. 18—27.
5. Чу Чонг Шы. Компьютерное моделирование процесса роста тонких пленок при термическом вакуумном напылении // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2016. С. 22—31.
6. Ehiasarian A. P. Fundamentals and applications of HIPIMS // Plasma Surface Engineering Research and its Practical Applications / Ronghua Wei, ed. Trivandrum, 2008. P. 35—87.
7. Гришенцев А. Ю., Коробейников А. Г. Разработка модели решения обратной задачи вертикального зондирования ионосферы // Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. 2011. № 2 (72). С. 109—113.
8. Коробейников А. Г., Кутузов И. М., Колесников П. Ю. Анализ методов обфускации // Кибернетика и программирование. 2012. № 1. С. 31—37.
9. Калинкина М. Е., Коробейников А. Г., Коновалов Н. Ю., Пирожникова О. И., Ткалич В. Л., Шмаков Н. А. Влияние электростатических воздействий и температурного фактора на деформирование чувствительного элемента микромеханических приборов // Научно-технический вестник Поволжья. 2019. № 1. С. 78—80.
10. Пат. 2287837 (С1) РФ, МПК7 G01R 33/038. Датчик магнитометра / В. М. Мусалимов, В. Л. Ткалич, А. Г. Коробейников, М. С. Петрищев, П. А. Сергушин. Опубл. 20.11.2006.
11. Пат. 2309419 (C2) РФ, МПК7 G01R 33/24. Устройство для измерения параметров магнитного поля / В. М. Мусалимов, В. Л. Ткалич, А. Г. Коробейников, М. С. Петрищев. Опубл. 27.10.2007.
12. Пат. 144305 (U1) РФ, МПК7 H01H 1/66. Магнитоуправляемый контакт / В. Л. Ткалич, А. Г. Коробейников, Р. Я. Лабковская, О. И. Пирожникова. Опубл. 20.08.2014.
13. Пат. 136920 (U1) РФ, МПК7 H01H 1/66. Магнитоуправляемый контакт / В. Л. Ткалич, А. Г. Коробейников, Р. Я. Лабковская, О. И. Пирожникова. Опубл. 20.01.2014.
14. Пат. 166022 (U1) РФ, МПК7 H01H 1/66, H01H 37/52, G08B 17/06. Мембранный термобиметаллический магнитоуправляемый контакт / В. Л. Ткалич, Р. Я. Лабковская, О. И. Пирожникова, А. С. Козлов. Опубл. 10.11.2016.
15. Пат. 176399 (U1) РФ, МПК7 G01R 33/038. Датчик магнитометра / В. Л. Ткалич, Р. Я. Лабковская, О. И. Пирожникова, А. С. Козлов. Опубл. 17.01.2018.
16. Пат. 192957 (U1) РФ, МПК7 G01L 9/04, B82Y 40/00. Чувствительный элемент прецизионного датчика давления / В. Л. Ткалич, Р. Я. Лабковская, О. И. Пирожникова, А. С. Козлов, М. Е. Калинкина. Опубл. 17.01.2018.