ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ФОТОДИОДОВ В ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОМ И ФОТОДИОДНОМ РЕЖИМАХ
Университет ИТМО; профессор
Челибанов В. П.
ЗАО «ОПТЭК»; генеральный директор
Читать статью полностью
Аннотация. Рассматриваются особенности работы фотодиодов на основе p—n-перехода в фотогальваническом (ФГ) и фотодиодном (ФД) режимах. Выводится выражение для полного тока фотодиода. Проанализированы достоинства и недостатки работы фотодиодов в ФГ- и ФД-режимах.
Ключевые слова:
фотодиод, вольтовая чувствительность, фотогальванический режим, фотодиодный режим
