ISSN 0021-3454 (печатная версия)
ISSN 2500-0381 (онлайн версия)
Меню

8
Содержание
том 63 / Август, 2020
СТАТЬЯ

DOI 10.17586/0021-3454-2016-59-1-79-84

УДК 621.384.3

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК МАТРИЧНОГО CdHgTe-ФОТОПРИЕМНИКА СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИК-ДИАПАЗОНА С РАБОЧЕЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ 160—170 К

Фёдоров И. Ю.
Корпорация „Комета“ — НПЦ ОЭКН; ст. научный сотрудник


Постников Е. С.
Корпорация „Комета“ — НПЦ ОЭКН; ст. научный сотрудник


Фромичев Д. В.
НПП „Восток“; ведущий инженер


Белоусов Ю. И.
Центральный научно-исследовательский институт „Комета“, Научно-проектный центр оптоэлектронных комплексов наблюдения; зам. директора


Читать статью полностью 

Аннотация. Предложена методика измерений характеристик мегапиксельного инфракрасного матричного фотоприемного устройства средневолнового диапазона и приведены результаты стендовых испытаний его прототипа. Обсуждается возможность использования результатов для построения более сложных оптико-электронных приборов в составе бортовой аппаратуры обнаружения. Результаты измерений таких основных параметров устройства, как динамический диапазон и пороговая чувствительность свидетельствуют о наличии технической возможности достичь предельно высокой чувствительности при температуре охлаждения фоточувствительного слоя не ниже 160—170 К и высокой частоте кадров.  
Ключевые слова: фотоприемное устройство, ИК-диапазон, КРТ, чувствительность, динамический диапазон

Список литературы:
  1. Васильев В. В., Варавин В. С. и др. Формирование фотодиодов на основе n-HgCdTe имплантацией As+ // Прикладная физика. 2007. № 2. С. 97—100.
  2. Стафеев В. И., Болтарь К. О. и др. Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектров на основе дотодиодов из CdxHg1-xTe // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39, вып. 10. С. 1257—1265.
  3. Стафеев В. И. Структура и свойства контактов CdxHg1-xTe – металл // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, вып. 5. С. 636—639.
  4. Якушев М. В., Бабенко А. А., Варавин В. С. и др. Структурные и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных пленок HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на подложках Si(310) // Прикладная физика. 2007. № 4. С. 108—114.
  5. Арутюнов В. А., Богатыренко Н. Г. и др. Цифровой ИК оптико-электронный модуль для диапазона 3—5 мкм // Материалы 7-й науч.-техн. конф. „Системы наблюдения, мониторинга и дистанционного зондирования Земли“. М., 2010. С. 269—270.
  6. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука, 2003. 636 с.