Аннотация. Представлены возможности нового метода формирования интерференционных покрытий — метода молекулярного наслаивания. Этот метод позволяет создавать конструкции покрытий, в которых толщина пленок составляет всего несколько десятков нанометров. В процессе исследований экспериментально определены показатели преломления пленкообразующих материалов диоксида кремния и оксида алюминия, из которых формируются широкополосные просветляющие покрытия. Представлена методика определения структуры просветляющих покрытий, удовлетворяющей одним или нескольким заданным условиям. Такие покрытия могут быть сформированы из симметричных или асимметричных ячеек. Полученные покрытия имеют низкий энергетический коэффициент отражения в диапазоне длин волн 420—820 нм. Анализ спектральных характеристик полученных покрытий показал, что в рассматриваемом диапазоне спектра значение интегрального коэффициента отражения симметричной и асимметричной многослойных систем составляет 1,18 и 0,78 % соот-ветственно. Асимметричные системы обычно обеспечивают большую возможность расширения зон просветления, чем симметричные. Проанализировано влияние отклонения толщины слоев на спектральную характеристику рассматриваемого покрытия в заданном диапазоне спектра. Установлено, что с помо-щью метода молекулярного наслаивания можно получить просветляющие покрытия, которые могут снизить остаточное отражение в широком диапазоне спектра при сокращении габаритов интерференционной системы. 

Ключевые слова: метод молекулярного наслаивания, химическое осаждение, широкополосное просветляющее покрытие, многослойная система

Список литературы:

1. Путилин Э. С., Губанова Л. А. Перспективы развития оптики тонких пленок // Изв. вузов. Приборостроение. 2011. Т. 54, № 3. С. 75—81.
2. Johnson R. W., Hultqvist A., Bent S. F. A brief review of atomic layer deposition: from fundamentals to applications // Materials Today. 2014. Vol. 15, Is. 5. P. 236—246.
3. Ефимов Н. Ю., Малыгин А. А. Нанотехнология молекулярного наслаивания для создания полимерных материалов с новыми функциональными свойствами // Сб. тр. IX конкурса проектов молодых ученых. М., 2015. С. 14—18.
4. Путконен М., Тузовский В. Новые применения атомно-слоевого осаждения (АСО) // Наноиндустрия. 2010. № 5. С. 18—21.
5. Мaula J. Atomic layer deposition for industrial optical coatings // Optics Letters. 2009. Vol. 53, N 8. P. 53—58.
6. Knez M., Nielsch K., Niinisto L. Synthesis and Surface Engineering of Complex Nanostructures by Atomic Layer Deposition // Advanced Materials. 2007. Vol. 19, Is. 21. P. 3425—3430.
7. Tikhonravov A. V., Trubetskov M. K., Amotchkina T. V., Debell G., Pervak V., Sytchkova A. K., Grilli M. L., and Ristau D. Optical parameters of oxide films typically used in optical coating production // Applied Optics. 2011. Vol. 50, Is. 9. P. 75—85.
8. Groner M. D., Fabreguette F. H., Elam J. W., George S. M. Low-Temperature Al2O3 Atomic Layer Deposition // Chem. Mater. 2014. N 16. Р. 639—645.
9. Малыгин А. А. Химическая сборка поверхности твердых тел методом молекулярного наслаивания // Соросовский образовательный журнал. 1998. № 7. С. 58—64.
10. Hiller D., Zierold R., Bachmann J, MAlexe M., Yang Y., Gerlach J. W., Stesmans A., Jivanescu M., Muller U., Vogt J., Hilmer H., Loper P., Kunle M., Munnik F., Nielsch K., and Zacharias M. Low temperature silicon dioxide by thermal atomic layer deposition // Journal of Applied Physics. 2010. Vol. 107. Р. 107:064314–1–064314-10. 
11. Dingemans. G., Helvoirt van C., Sanden van de M., Kessels W. Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of Low Temperature SiO2 // ECS Transactions. 2011. Vol. 35, Is. 4. P. 191—204.
12. Губанова Л.А., Путилин Э.С. Оптические покрытия. СПб: Лань, 2016. 286 с.
13. Southwell W. H. Coating design using very thin high- and low-index layers // Applied Optics. 1985. Vol. 24, N 4. P. 457—460.
14. Фурман Ш. А. Тонкослойные оптические покрытия. Л.: Машиностроение, 1977. 264 с.
15. Ловецкий К. П., Севастьянов Л. А., Бикеев О. Н., Паукшто М. В. Математический синтез оптических наноструктур. М.: РУДН, 2008. 145 с.
16. Huang Yujian, Pandraud G., and Sarro P. M. Characterization of low temperature deposited atomic layer deposition TiO2 for MEMS applications // J. Vac. Sci. Technol. A. 2013. Vol. 31, N 1. P. 31—39.