DOI 10.17586/0021-3454-2018-61-10-915-921
УДК 546.28.004
ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАВЛЕНОЙ В РАСТВОРЕ ГИДРОКСИДА КАЛИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
АО „НИИФИ“; главный специалист
Абдуллин Ф. А.
АО „НИИФИ“; инженер-конструктор
Вергазов И. Р.
АО „НИИФИ“; главный специалист
Мишанин А. Е.
АО „НИИФИ“; ведущий инженер-технолог
Читать статью полностью
Аннотация. Проведена экспериментальная оценка влияния глубины анизотропного травления кремния на шероховатость травленой поверхности в растворе гидроксида калия. Проводилось травление пластин кремния на различную глубину (30 и 180 мкм) с последующим измерением параметров шероховатости на оптическом профилографе-профилометре PF-60. Показано, что при этом способе травления меняются такие параметры шероховатости поверхности, как Ra, Rz, Rmax. Для улучшения качества поверхности (снижения вышеуказанных параметров) применялось химическое полирование в изотропном травителе. Проведенные исследования имеют практическое значение для изготовления кремниевых структур микромеханических систем.
Ключевые слова: микромеханические датчики, анизотропное травление, шероховатость поверхности, химическая полировка, гидромеханические условия
Список литературы:
Список литературы:
- Petersen K. E. Silicon as a Mechanical Material // Proc. of the IEEE. 1982. Vol. 70, N 5. P. 420—457.
- Аванесов Г. А., Бессонов Р. В., Форш А. А., Куделин М. И. Анализ современного состояния и перспектив развития приборов звездной ориентации семейства БОКЗ // Изв. вузов. Приборостроение. 2015. Т. 58, № 1. С. 3—13.
- Афиногенов И. А., Конькин А. В., Эннс П. Б., Капустин А. Н. Электростатические реле на базе МЭМСтехнологии // Изв. вузов. Приборостроение. 2011. Т. 54, № 4. С. 18—23.
- Соколов Л. В., Парфенов Н. М. Технологические особенности формирования трехмерных МЭМС // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 11. С. 19—26.
- Пауткин В. Е., Аверин И. А. Особенности формирования микроэлектромеханических элементов первичных преобразователей информации // Изв. вузов. Поволжский регион. Технические науки. 2014. № 2(30). С. 24—32.
- Han Lu, Hua Zhang, Mingliang Jin, Tao He, Guofu Zhou and Lingling Shui. Two-Layer Microstructures Fabricated by One-Step Anisotropic Wet Etching of Si in KOH Solution // Micromachines. 2016. Vol. 7. Р. 19. DOI:10.3390/mi7020019
- Пат. 2207658 РФ, МПК H01L 21/02, H01L 29. Способ изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа / Е. А. Мокров, Ю. А. Зеленцов, С. А. Козин, И. Г. Акимов, А. В. Федулов, Т. Г. Чистякова, Ю. С. Ануфриев. Заяв. №2001119005/28 от 09.07.2001. Опубл. 27.06.2003.
- Tripathi C. C. еt al. Development of low cost set up for anodic bonding and its characterization // Indian J. of Pure & Applied Physics. 2008. Vol. 46, October. P. 738—743.
- Cianci E. еt al. Silicon grisms fabricated by anisotropic wet etching and direct silicon bonding for high-resolution IR spectroscopy // Micromachining and Microfabrication Process Technology VII. Proc. SPIE. 2001. Vol. 4557. P. 201—209.
- Пат. 2526789 РФ, МПК G01P15/08, G01P15/125. Чувствительный элемент интегрального акселерометра / В. Е. Пауткин, С. В. Прилуцкая. Заяв. 2013110978/28 от 12.03.2013. Опубл. 27.08.2014.
- Wei Xu, Jie Yang, Guofen Xie, Bin Wang, Mingshan Qu, Xuguang Wang, Xianxue Liu, and Bin Tang. Design and Fabrication of a Slanted-Beam MEMS Accelerometer // Micromachines. 2017. N 8. Р. 77. DOI:10.3390/mi8030077
- Zhu Li, Wen Jie Wu, Pan Pan Zheng, Jin Quan Liu, Ji Fan, and Liang Cheng Tu. Novel Capacitive Sensing System Design of a Microelectromechanical Systems Accelerometer for Gravity Measurement Applications // Micromachines. 2016. N 7. Р. 167. DOI: 10.3390/mi7090167
- Федоренко В. А., Шошин А. И. Справочник по машиностроительному черчению / Под ред. Г. Н. Поповой. Л.: Машиностроение,1981. 416 с.
- Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. 528 с.
- Monteiro T. S., Kastytis P., Goncalves L. M., Minas G. and Cardoso S. Dynamic Wet Etching of Silicon through Isopropanol Alcohol Evaporation // Micromachines. 2015. N 6. Р. 1534—1545. DOI:10.3390/mi6101437
- Campbell S. A., Cooper K., Dixon L., Earwaker R., Port S. N., and Schiffrin D. J. Inhibition of pyramid formation in the etching of Si p(100) in aqueous potassium hydroxide-isopropanol // J. of Micromechanics and Microengineering. 1995. Vol. 5, N 3. DOI: 10.1088/0960-1317/5/3/002
- Bressers P. M. M. C., Kelly J. J., Gardeniers J. C. E., Elwenspoek M. Surface Morphology of p-Type (100) Silicon Etched in Aqueous Alkaline Solution // J. of the Electrochemical Society. 1996. Vol. 143, N 5. Р. 1744—1750.
