DOI 10.17586/0021-3454-2025-68-4-328-332
УДК 536.2
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА
НА ИНТЕНСИВНОСТЬ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИСТОЧНИКОВ СВЕТА
Кораблев В. А.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, 197101, Российская Федерация; тьютор
Минкин Д. А.
Санкт-Петербургский университет ГПС МЧС России, Санкт-Петербург, 196105, Российская Федерация; доцент
Ссылка для цитирования : Кораблев В. А., Минкин Д. А. Исследование влияния теплового режима на интенсивность излучения полупроводниковых источников света // Изв. вузов. Приборостроение. 2025. Т. 68, № 4. С. 328–332. DOI: 10.17586/0021-3454-2025-68-4-328-332.
Аннотация.
Представлена методика исследования зависимости параметров излучения светодиодных систем от температуры. Приведена конструкция разработанного экспериментального стенда. Выполнены измерения интенсивности излучения светодиодов при различных значениях температуры.
Ключевые слова: светодиод, тепловой режим, термостат, тепловая проводимость, освещенность
Список литературы:
1. Мукхерджи А., Сони А., Розовский Е. И. О влиянии повышения температуры окружающей среды на срок службы светодиодов // Светотехника. 2016. № 1. С. 31–34. EDN VOSQEV. 2. Смирнов С. В., Саврук Е. В., Гончарова Ю. С. Температурная зависимость спектров излучения светодиодов белого свечения на основе нитрида галлия и его твердых растворов // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2011. № 2-2(24). С. 55–58. EDN OUWBKH. 3. [Электронный ресурс]: . 4. Годовицын И. В. Срок службы сверх ярких светодиодов. Причины отказов [Электронный ресурс]: . 5. Беринцев А. В., Новиков С. Г. Исследование InGaN и AlGaInP светодиодов при малых токах и высоких темпе-ратурах // Радиоэлектронная техника. 2012. № 1(5). С. 59–65. EDN UEAFOV. 6. Ефремов А. А., Бочкарева Н. И., Горбунов Р. И. и др. Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40, № 5. С. 621–627. EDN RCZKWX. 7. Ашрятов А. А., Микаева С. А., Мышонков А. Б. Измерение температуры кристалла маломощного светодиода // Приборы. 2010. № 5(119). С. 56–61. EDN MEHHXB. 8. Грушко Н. С., Хайрулина А. С. Оптические характеристики белых светодиодов InGaN/AlGaN/GaN: световая эффективность, КПД, координаты цветности // Естественные и технические науки. 2008. № 6(38). С. 45–49. EDN JXQPWT. 9. Дульнев Г. Н. Теория тепло- и массообмена. СПб: НИУ ИТМО, 2012. 195 с. 10. Клейменов Е. П., Кузнецов М. М., Беляев В. В., Нессемон К. Д. Расчет отвода тепла от основания светодиодно-го светильника при свободно конвективном теплообмене // Вестник Московского энергетического института. 2018. № 1. С. 86–90. DOI 10.24160/1993-6982-2018-1-86-90. EDN YOJILV. 11. Герасимов Д. Н., Моргунова С. М. Теплообмен излучением: учебник для вузов. СПб: Лань, 2023. 156 с. 12. Колпаков А. Возвращаемся к термопасте // Силовая электроника. 2015. Т. 3, № 54. С. 90–95. 13. Герасютенко В. В., Кораблев В. А., Шарков А. В., Минкин Д. А. Исследование методов интенсификации кон-тактного теплообмена между элементами электронной аппаратуры // Современные методы и средства иссле-дований теплофизических свойств веществ: Сб. тр. V Междунар. науч.-техн. конф. Санкт-Петербург, 23–24 мая 2019 года. СПб: Университет ИТМО, 2019. С. 185–197. EDN HSTEBP. 14. Байнева И., Байнев В. Программная модель для оценки эффективности и надежности светодиодных источни-ков света и приборов // Полупроводниковая светотехника. 2011. № 3. С. 40–42.
