ISSN 0021-3454 (печатная версия)
ISSN 2500-0381 (онлайн версия)
Меню

11
Содержание
том 60 / НОЯБРЬ, 2017
СТАТЬЯ
УДК 681.78

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ФОТОДИОДОВ В ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОМ И ФОТОДИОДНОМ РЕЖИМАХ

Ишанин Г. Г.
Университет ИТМО; профессор


Челибанов В. П.
ЗАО «ОПТЭК»; генеральный директор


Читать статью полностью 

Аннотация. Рассматриваются особенности работы фотодиодов на основе p—n-перехода в фотогальваническом (ФГ) и фотодиодном (ФД) режимах. Выводится выражение для полного тока фотодиода. Проанализированы достоинства и недостатки работы фотодиодов в ФГ- и ФД-режимах.
Ключевые слова:
фотодиод, вольтовая чувствительность, фотогальванический режим, фотодиодный режим