ФОРМИРОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ СИСТЕМЫ SiO2/Si ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ ЭКСИМЕРНОГО ЛАЗЕРА
Куинён университет, Куинён, Бинь Динь, 170 Ан Дыонг Выонг, Вьетнам,; преподаватель
Скворцов А. М.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, 197101, Российская Федерация; профессор
Петров А. А.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, 197101, Российская Федерация; доцент
Читать статью полностью
Аннотация. Рассмотрен процесс формирования микро- и наномасштабных периодических структур на поверхности системы SiO2/Si под действием наносекундных лазерных импульсов. При облучении экспериментальных образцов получены волнообразные периодические структуры на поверхности. Исследована зависимость топологии поверхности системы SiO2/Si от плотности энергии лазерного импульса.
Ключевые слова: наносекундный лазер, наноструктурирование, периодические структуры, система SiO2/Si, оптическая микроскопия, зондовая микроскопия
