Аннотация. Представлена лазерно-дифракционная методика формирования регулярного массива (решетки) кластеров кремния в системе кремний — диоксид кремния, основанная на процессе локального лазерного испарения вещества. Показано, что плотность кластеров кремния в массиве зависит от шага ячеек в металличе- ской микросетке, которая использовалась для деления лазерного пучка. Определена пороговая мощность лазера, превышение которой сопровождается воз- никновением на окисленной поверхности кремния нанокластеров кремния в виде регулярной решетки. Показано, что при увеличении мощности лазера размер кластеров увеличивается, а вокруг кластеров появляются деформированные области; дальнейшее увеличение мощности приводит к увеличению размеров кла- стеров и площадей деформированных областей вплоть до их смыкания.

Ключевые слова:

нанокластер, нанокристалл, наноэлектроника, лазерный способ кластеризации.