ISSN 0021-3454 (печатная версия)
ISSN 2500-0381 (онлайн версия)
Меню

10
Содержание
том 61 / ОКТЯБРЬ, 2018
СТАТЬЯ
УДК 621.315.592: 536.717: 537.33

ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ВЫРАЩИВАЕМЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

Швец В. А.
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Специализированный учебно-научный центр Новосибирского государственного университета, кафедра физики;


Рыхлицкий С. В.
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, лаборатория эллипсометрии;


Спесивцев Е. В.
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, лаборатория эллипсометрии;


Михайлов Н. Н.
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, лаборатория эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6;


Читать статью полностью 

Аннотация. Приведены результаты по исследованию и разработке аппаратурных средств и методик эллипсометрического контроля in situ параметров гетероструктур, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии, на основе тройного соединения CdxHg1-xTe. Представлены экспериментальные результаты и модельные расчеты, которые демонстрируют возможность контролируемо выра- щивать наноструктуры, сформированные из однородных по составу слоев, а также с заранее заданным распределением состава по толщине растущего слоя.
Ключевые слова:

эллипсометрия, контроль in situ, молекулярно-лучевая эпитаксия, наноструктуры, кадмий—ртуть—теллур.