ISSN 0021-3454 (печатная версия)
ISSN 2500-0381 (онлайн версия)
Меню

8
Содержание
том 61 / АВГУСТ, 2018
СТАТЬЯ
УДК 539.1.043 3

ЛАЗЕРНОЕ ТЕКСТУРИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Хайдуков Е. В.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; аспирант


Храмова О. Д.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; старший научный сотрудник


Рочева В. В.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; младший научный сотрудник


Зуев Д. А.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; аспирант


Новодворский О. А.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; старший научный сотрудник, заведующий лабораторией;


Лотин А. А.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; аспирант


Паршина Л. С.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН; младший научный сотрудник


Поройков А. Ю.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова; ведущий электроник


Тимофеев М. А.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова; ведущий научный сотрудник


Унтила Г. Г.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова; старший научный сотрудник


Читать статью полностью 

Аннотация. Исследован процесс возникновения лазерно-индуцированной столбчатой струк- туры на поверхности c-Si и mc-Si под действием наносекундных импульсов Nd:YAG-лазера (532 нм) в атмосфере диоксида углерода и в вакууме. Получены образцы текстурированных пластин mc-Si размером 20×20 мм c типичной столб- чатой структурой (аспектное отношение ≥ 3) и полным отражением менее 3 %.
Ключевые слова:

мультикристаллический кремний, лазерное текстурирование, солнечные элементы.