КОМПРЕССИЯ ИМПУЛЬСОВ МИКРОЧИП-ЛАЗЕРА С ДИОДНОЙ НАКАЧКОЙ ПРИ ВСТРЕЧНОМ ВКР-ПРЕОБРАЗОВАНИИ
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, 197101, Российская Федерация; ведущий инженер
Кийко В. В.
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН,кафедра мощных лазеров, Москва;
Кондратьев В. А.
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, кафедра мощных лазеров, Москва; аспирант
Сергеев А. Н.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, 197101, Российская Федерация; ассистент
Храмов В. Ю.
Университет ИТМО; профессор
Якобсон В. Э.
ОAO «Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра „ГОИ им. С. И. Вавилова“», Санкт-Петербург; ведущий научный сотрудник
Читать статью полностью
Аннотация. Экспериментально исследован процесс обратного ВКР-преобразования излучения субнаносекундного микрочип-лазера cдиодной накачкой и пассивной модуляцией добротности. В кристалле нитрата бария достигнута эффективность обратного ВКР-преобразования выше 50 % и коэффициент компрессии импульса во времени, равный 6,4. Предложена схема дополнительного усиления первой стоксовой компоненты при „кегельном“ режиме генерации излучения микрочип-лазера.
Ключевые слова:
обратное ВКР-преобразование, микрочип-лазер, нелинейная оптика
