ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ НЕОДНОРОДНЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ АНИЗОТРОПНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ
Университет ИТМО, кафедра твердотельной оптоэлектроники; аспирант
Храмцовский И. А.
Университет ИТМО, 197101, Российская Федерация; вед. инженер
Иванов В. Ю.
Университет ИТМО, кафедра твердотельной оптоэлектроники; аспирант
Федоров И. С.
Университет ИТМО, кафедра твердотельной оптоэлектроники; аспирант
Туркбоев А. .
Университет ИТМО; профессор кафедры ТТОЭ
Читать статью полностью
Аннотация. Изложены методы определения элементов нормированной матрицы отражения и основных эллипсометрических параметров анизотропных отражающих систем. Дано экспериментально-теоретическое обоснование применения обобщенных уравнений эллипсометрии в приближении Друде — Борна при определе- нии поляризационно-оптических характеристик неоднородных поверхностных слоев анизотропных элементов оптоэлектроники. Показано, что при полировании и ионной обработке кристаллического кварца в приповерхностной области образуется аморфизированный слой, наличие которого приводит к потерям оп- тического излучения в ВУФ-области спектра.
Ключевые слова:
эллипсометрия, оптические соединения, элементы опто- электроники, анизотропные оптические элементы.
